随机栅长变化引起纳米MOSFET失配模型

摘要：

随着 CMOS 技术进入纳米工艺，随机栅长变化成为影响集成电路性能和成品率最重要因素之一。文中分析并验证了纳米 MOS 器件随机栅长变化导致电流增益因子与阈值电压的之间的相关性及失配解析关系式，并以此为基础，结合偏差传递理论实现了22 nm工艺MOSFET电流失配模型。仿真实验结果表明，该模型揭示了短沟道效应导致的器件阈值电压变化改变了载流子有效迁移率，进而影响电流增益因子及器件电流的规律，精确地估计了随机栅长变化导致的电气参数统计变化特性。

关键词：失配模型、纳米MOS器件、工艺参数波动、短沟道效应

所属期刊栏目：28

分类号：TP386(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家自然科学基金61331006,61302009,61271064,61571171;浙江省自然科学基金LZ12F01001

在线出版日期：2016-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1175-1179