考虑单粒子多瞬态故障的数字电路失效概率评估

摘要：

为了准确评估电路的失效概率，提出一种考虑单粒子多瞬态(SEMT)的数字电路失效概率评估方法。该方法通过解析电路门级网表提取 SEMT 故障位置对；使用双指数电流源模型模拟故障注入，通过 SEMT 脉冲复合模型将SEMT脉冲转化为复合的 SET脉冲并沿数据通路向下游传播；在脉冲传播过程中，使用 SEMT脉冲屏蔽模型评估逻辑屏蔽、电气屏蔽与时窗屏蔽效应，使用电路失效概率计算方法得到电路总体失效概率。实验结果表明，与同类方法相比，文中方法计算结果更为精确；与基于统计的蒙特卡罗方法相比，该方法的相对误差仅为2%，能够有效地指导集成电路容错设计。

关键词：失效概率、软错误、单粒子多瞬态、信号概率

所属期刊栏目：28

分类号：TP391.72(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家自然科学基金61274036,61574052,61371025,61106038;安徽省高校省级自然科学研究重大项目KJ2014ZD12

在线出版日期：2016-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：505-512