低功耗三输入AND/XOR 门的设计

摘要：

三输入AND/XOR门是Reed-Muller(RM)逻辑电路的一种基本复合门电路单元. 针对现有AND/XOR门电路由AND门和XOR/XNOR门级联而成, 导致电路延时长、功耗大等问题, 提出一种晶体管级的CMOS逻辑和传输逻辑混合的低功耗三输入AND/XOR门电路.首先在55nm CMOS工艺下,对所设计电路进行原理图和版图设计;然后对版图进行寄生参数提取, 并在不同工艺角下与基于典型级联结构的电路进行后仿真分析和比较. 实验结果表明,在典型工艺角下,所提出的电路的面积、功耗和功耗延迟积的改进最高分别达到18.79%, 26.67%与31.25%.

关键词：AND/XOR门、Reed-Muller逻辑、低功耗、功耗延迟积

所属期刊栏目：27

分类号：TN431.2(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金重点项目61131001;国家自然科学基金61228105,61404077

在线出版日期：2015-07-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：940-945