一个简单的65nm MOSFET失配模型

摘要：

MOSFET的精确匹配对模拟和混合集成电路的性能至关重要,随着器件特征尺寸减小至纳米,将MOSFET失配模型进行改良以适应新工艺显得十分迫切.文中应用改进的AIPHA律平均漏电流模型拟合65 nm器件的HSPICE仿真数据,并提取了相关工艺参数,该模型与BSIM4模型数据相比平均相对误差为1.70%,相对标准差8.26%;再利用该模型并结合偏差传递公式实现了一个简单的65nm工艺MOS器件电流失配标准差计算模型.实验结果显示,该模型与HSPICE蒙特-卡罗仿真数据相比平均相对误差为7.69%,相对标准差为10.49%.这表明文中模型简单、有效,又能保证精度.

关键词：失配、MOS模型、工艺波动、纳米器件

所属期刊栏目：23

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2011-12-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1280-1284