嵌入式P端口SRAM的端口间故障测试

摘要：

为了有效地测试嵌入式P端口静态随机存取存储器(SRAM)端口间的故障,提高电子系统的安全性,提出一种基于结构故障模型的故障测试算法.首先对March C-算法扩展得到w-r算法,即让一个端口执行March C-算法的同时另一个端口于偏移量为±2的地址并行执行伪读操作,并考虑存储器的规则结构给出了其简化算法;然后提出w-w算法,通过2个端口向存储器单元并行写(不同的地址),可有效地激发2个写端口之间的各种故障,使之适用于不同物理布局的存储器,在保证时间复杂度合理的前提下提高了端口间的故障覆盖率.将故障注入64×8位的双端口SRAM中进行仿真实验,得出了故障检测表,验证了其时间复杂度低,表明文中算法具有100%的端口间故障覆盖率.

关键词：P端口、SRAM、结构故障模型、内建自测试、端口间故障

所属期刊栏目：23

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金90505013,60871009;南京航空航天大学专项科研基金NS2010063

在线出版日期：2011-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：471-479