深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统

摘要：

介绍了一个基于公式的深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统.通过较准确地计算电路的直流工作点和MOS管的小信号参数,以及由电路拓扑结构自动生成电路性能公式对已有的基于公式的方法进行了改进;同时考虑了电路的可制造性问题,使得综合出的电路在工艺波动和工作条件变化时仍能满足性能要求.大量的实验结果表明:与基于模拟器的方法相比,采用该系统可以快速综合出可制造的深亚微米CMOS模拟单元电路.

关键词：模拟电路综合、优化、集成电路CAD

所属期刊栏目：17

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2005-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：2046-2052