深亚微米CMOS运算放大器的综合

摘要：

利用一种计算电路直流工作点的技术,并采用基于BSIM3v3 MOS模型的MOS管评估器来提高基于公式法进行电路综合的精度;同时提出一种综合策略,使得综合后得出的运算放大器在工艺波动和工作条件(如电源电压和温度)变化时,仍能满足性能要求.大量的实验结果表明:文中方法可以快速综合出可制造的深亚微米CMOS运算放大器.

关键词：CMOS运算放大器、模拟电路综合、直流工作点、可制造性电路设计

所属期刊栏目：16

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2005-01-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：1631-1639