用于光刻模拟的快速计算稀疏空间点光强的方法

摘要：

使用光刻仿真工具模拟掩模图形到硅圆片的转移成像结果,可以分析集成电路在工艺规则下产品的可靠性和部分电学特性.基于Gabor的"主波分解"方法,一个部分相干成像系统可以用相干成像系统的叠加来近似,再对空间图像进行高斯卷积来模拟光刻胶的实际扩散效应,从而获得一种精确、快速用于光刻模拟的稀疏空间点光强计算方法.根据光学系统的传输交叉系数的特性,提出和探讨了两种矩阵分解的方法.

关键词：光刻仿真、光学邻近校正、矩阵分解

所属期刊栏目：15

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60176015

在线出版日期：2003-09-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：783-786,794