电化学沉积法制备Co-ZnO薄膜及其室温铁磁性
摘 要:用电化学沉积方法,在锌片上成功制备出了Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜.XRD研究表明,Co-ZnO薄膜均为六方纤锌矿结构,没有出现与Co相关的杂质相.由XPS测量结果可知,钴离子在ZnO薄膜中以+2价的形式存在,替换了ZnO晶格中部分Zn2+.通过样品室温铁磁性测量结果进一步验证了Co2+取代了ZnO晶格中Zn2+的格位.
ZnO薄膜、稀磁半导体、电沉积、X射线光电子能谱分析
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O484.43(固体物理学)
国家自然科学基金103413127
2012-07-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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