集成MOSFET的优化型降压稳压器将功率密度提升至新水平

摘要：

集成是固态电子产品的基础,将类似且互补的功能汇集到单一器件中的能力驱动着整个行业的发展.随着封装、晶圆处理和光刻技术的发展,功能密度不断提高,在物理尺寸和功率两方面都提供了更高能效的方案.
对产品开发人员来说,功率密度是一个始终存在的挑战,对各种电压下更高电流的需求(通常远低于系统总线)带来了对更小的降压稳压器的需求,这样的稳压器可通过一个单极里的多个放大器,将电压从高达48V降至1V,使其能够贴近负载点,且仍然可提供95％以上的能效.

机标关键词：mosfet、降压稳压器、功率密度、优化型、新水平

分类号：TN386.1;TN949.192;TM44

在线出版日期：2018-08-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：41-43