微电子所在高可靠技术领域取得突破性进展

摘要：

近日,微电子所中国科学院硅器件技术重点实验室在高可靠技术领域取得突破性进展.
近年来,重点实验室与微电子所先导中心、中科院新疆理化所等所内外科研单位合作,在FinFET器件、DSOI器件和VDMOS器件抗辐照性能上进行了深入研究.研究表明,在导通偏置下的辐照过程中,体硅FinFET展现出高抗总剂量辐射能力,辐照诱发阈值电压增大、跨导增加并改善了其亚阈值特性,引起“反向”的辐照后室温退火效应.

机标关键词：突破性进展、可靠技术、技术领域、高可靠、微电子

分类号：TE122;D831.22;I207.2

在线出版日期：2018-04-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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