快充次级同步整流MOSFET对EMI辐射干扰的影响

摘要：

1.前言
使用传统的mini-USB接口的标准充电器,充电电压和电流为5V/1A或5V/2A,需要非常长的时间才能将大容量的电池充满.当手机和手持式设备使用具有高的充电电流的快充充电器时,就可以极大地缩短充电时间,提高充电的速度.
目前,快充具有低压大电流和高压低电流两种类型.

机标关键词：mosfet、同步整流、辐射干扰

分类号：TM46;TN386;TN432

在线出版日期：2017-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：32-33