采用最优化专有TCAD引擎加速DRAM存储单元仿真

摘要：

Kilopass研发出了一种全新的垂直分层晶闸管(Vertical LayeredThyristor,VLT) SRAM单元,其特性可支持它作为DRAM存储单元.这种存储单元具有静态特性,不需要进行刷新操作,这样一来与传统DRAM相比,极大地简化了电路结构.
VLT存储单元完全可由现有的材料与设备来制造.对目前的DRAM制造商来说,制造VLT时所需的所有工艺步骤都是制造传统DRAM时所包含的步骤.其他代工厂可以根据现有设施和材料使用一些新的工艺步骤.

机标关键词：ram存储单元、dram、tcad、最优化

分类号：TP332.3;TN36;TN402

在线出版日期：2017-01-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：47-49