微电子所阻变存储器研究取得新突破

摘要：

日前,微电子所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士团队在阻变存储器(RRAM)三维垂直交叉阵列研究领域取得了突破性进展,提出了自对准高性能自选通阻变存储器结构,为高密度、低成本三维垂直交叉阵列的制备提供了解决方案,研究论文被2016 Symposia on VLSI Technology and Circuits(简称VLSI 国际研讨会)接收,第一作者许晓欣在会上进行了口头报告.这是中国科学院首次作为第一作者单位在该国际会议上发表论文.

机标关键词：阻变存储器、微电子、新突破

分类号：TP333;TN402;TN304.21

在线出版日期：2016-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：27