射频氮化镓市场将规模猛增

摘要：

氮化镓(GaN)是被誉为继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料.由于GaN材料具有低的热产生率和高的击穿电场,是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料.

机标关键词：氮化镓

分类号：TN304.23;O4;TB383

在线出版日期：2016-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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