用集成驱动器优化GaN性能

摘要：

将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且简化基于GaN的功率级设计.
氮化镓(GaN)晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗.然而,当压摆率很高时,特定的封装类型会限制GaNFET的开关性能.将GaN FET与驱动器集成在一个封装内可以减少寄生电感,并且优化开关性能.集成驱动器还可以实现保护功能.

机标关键词：集成驱动器

分类号：TN710;TN46;TM133

在线出版日期：2016-06-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：28-31