10.3969/j.issn.1004-9606.2016.04.002
微电子所在高迁移率沟道MOS器件研究上取得显著进展
微电子所高频高压器件与集成研发中心刘洪刚研究员、王盛凯副研究员带领CMOS研究团队在国家科技重大专项02专项、国家“973”课题和国家自然科学基金等项目的支持下,对high-k/Ⅲ-Ⅴ、high-k/Ge界面的缺陷行为及控制方法开展了系统研究,经过近5年的持续攻关,取得了突破性的研究成果.
高迁移率、微电子、显著进展
TN304;TQ316.6;TN405
2016-05-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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