守得云开,FD-SOI工艺迎来爆发期

摘要：

FD-SOI(全耗尽绝缘硅)是指一种平面晶体管结构.这种平面架构是通过在绝缘硅片晶圆超薄的绝缘氧化埋层(BOX)上再生长一层超薄的单晶硅层来实现的.由于采用超薄硅层,所以不需要沟道掺杂,使晶体管得以全耗尽.此外,薄氧化埋层使得基底偏压功能可以满足功耗/性能以及成本要求.相比传统的硅CMOS (bulkCOMS)工艺技术来说,FD-SOI结构可以很好地解决晶体管大规模集成到一定数量后的漏电问题,从而进一步推进摩尔定律发展.

机标关键词：爆发期

分类号：TN405;I207.4;Q949.21

在线出版日期：2016-05-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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