微电子所展出3D NAND存储器技术成果

摘要：

在最近召开的第十二届武汉光博会上,微电子所中科新芯三维存储器研发中心与武汉新芯集成电路制造有限公司合作研发的先进3D NAND型闪存存储器芯片亮相大会.该技术成果是微电子所充分发挥产一研联合研发新模式的优势与潜力,经过近8个月的技术攻关,与武汉新芯集成电路制造有限公司联合研发的首款具备9层存储结构的三维存储器件.

机标关键词：nand存储器、微电子、技术成果

分类号：TP333;TN405.94;TH74

在线出版日期：2016-01-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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