深亚微米工艺中MOS器件的版图效应

摘要：

本文主要描述一下两钟对MOS管特性有影响的边界效应.同时,本文也将描述目前通用的对这两种效应的估算方式和在器件模型中的表现形式.
WPE效应
第一种影响MOS器件的效应被称为WPE,well proximity effect,也可以翻译为“井边界效应”.WPE效应的影响是,当一个MOS管靠近他所在的井边沿的时候,其阈值电压会升高,从而导致其传输特性和其他普通的MOS不同.

机标关键词：深亚微米工艺

分类号：TN402;TP368.1;TN702

在线出版日期：2015-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：51-53