移动式PMU的功率MOSFET故障:原因及设计考虑

摘要：

汽车系统以及在汽车上充电或者工作的移动设备内部的功率MOSFET,可能工作在恶劣的环境下,并承受来自电源设备和发射器的大强度瞬态.另外,空气中以及电路板裸露导电表面的腐蚀性污染物,会引起低阻抗通路.时间一长,这些低阻抗通路和瞬态事件(例如:过载、电磁耦合和工作环境产生的易发尖峰等),会导致产生破坏性的电气过应力(EOS)状态.这种状态可能会使强电流在非常短的时间内流过MOSFET功率开关.

机标关键词：功率mosfet、mosfet故障、设计考虑、移动式

分类号：TN386.1;TN78;TN432

在线出版日期：2015-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：30-33