在ZVS拓扑中选择最优的死区时间

摘要：

中压和高压功率MOSFET在各种隔离式转换器拓扑中被广泛使用,例如,半砖或全桥整流,以及单端升压或同步降压稳压器.桥式整流可以是硬开关或软开关,但目前的大多数转换器使用零电压开关(ZVS),避免导通时的开关损耗.功率部分是一样的,只是需要对器件开启和关闭的次序进行调整.在宽输入电压DC/DC砖式转换器里,同步降压转换器一般用于前端预稳压,在ZVS模式中还用来开关低边MOSFET.

机标关键词：死区时间

分类号：TM464;TN722.75;TN402

在线出版日期：2015-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：32-35