期刊专题

10.3969/j.issn.1004-9606.2013.11.014

功率半导体器件直流参数测试系统的研发

引用
背景介绍 功率半导体器件应用非常广泛,是各种电子系统及仪器的基础,通常包括功率二极管、三极管、MOS场效应管、结型场效应管、可控硅等.目前,功率半导体器件应用单位涉及航天、航空、高等院校、电子研究所等诸多部门.其制造工艺及其设计水平较原来普通器件在功率上有了很大的提高,而功率器件直流参数是器件性能验收必测参数,以功率半导体二极管为例,直流参数主要包括:击穿电压VR、反向直流电流IR、正向直流电压VF、工作电压Vz等.

功率半导体器件、参数测试系统、直流参数测试

TN303;TN407;TP216+.2

2015-12-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

58-60

暂无封面信息
查看本期封面目录

今日电子

1004-9606

11-3227/TM

2013,(11)

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn