超结型高压功率MOSFET结构工作原理

摘要：

目前,高压功率MOSFET具有平面型和超结型(Super Junction)两种常用的结构.早期,高压功率MOSFET主要是平面型结构,它采用厚的低掺杂的N-的外延层,即epi层,用来保证具有足够的击穿电压,低掺杂的N-的epi层的尺寸越厚,耐压的额定值越大,但是其导通电阻也急剧的增大,而且导通电阻随电压以2.4～2.6次方增长,这样,就降低了电流的额定值.为了得到低的导通电阻值,就必须增大硅片的面积,成本随之增加,同时米勒电容增加还会导致开关损耗增加.

机标关键词：功率mosfet、工作原理

分类号：TN386.1;TN78;TN432

在线出版日期：2015-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：30-31