高分辨压电光电子学应力成像芯片系统研制成功

摘要：

美国佐治亚理工学院和中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士领导的研究小组最近利用垂直生长的纳米压电材料阵列研制出大规模发光二极管阵列,并且利用压电光电子学效应首次实现利用外界应力/应变改变纳米压电发光二极管发光强度的过程;首次研制出主动自适应式的、高分辨率的、以光电信号为媒介、并行处理的压力传感成像芯片系统.相关论文于8月11日在线发表在《自然—光子学》杂志上.

机标关键词：光电子学、高分辨、系统研制、芯片系统、研制成功

分类号：TN201;TN911.7;O436

在线出版日期：2015-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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