我国(Ga,Mn)As磁性半导体研究取得进展

摘要：

7月9日,《物理评论快报》(Phys.Rev.Lett.111,0272032013)报道了中科院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究组及合作者在(Ga,Mn)As/Co2FeAl双层膜铁磁界面耦合和磁邻近效应方面取得的最新研究成果.
(Ga,Mn)As兼具铁磁体和半导体的性质,过去十多年里受到了高度关注.(Ga,Mn)As基自旋发光二极管等器件的功能已被成功地演示,但是其较低的居里温度限制了这些器件的实际应用.如何提高(Ga,Mn)As的居里温度,是半导体自旋电子学领域研究的热点.

机标关键词：磁性半导体

分类号：TN304.7;O4;TB383

在线出版日期：2015-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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