选用恰当的超低静态电流低压降稳压器

摘要：

静态电流相同或极接近的超低静态电流LDO的动态性能可能差异很大.有两项主要因素决定了这些器件的动态性能.一是使用的半导体工艺,大多数当今LDO使用先进的CMOS或BiCMOS技术制造;二是LDO设计中应用的技术.
有几种不同类型的超低静态电流LDO,它们基于不同的技术,呈现出不同的动态性能参数,包括:
1恒定偏置LDO-传统上的超低静态电流CMOS LDO使用恒定偏置(constant biasing)原理,接地电流消耗在LDO输出电流范围内保持相对恒定.这样的LDO非常适合性能要求相对不那么严格的电池供电应用.

机标关键词：低压降稳压器、低静态电流

分类号：TN432;TM44;TN710.2

在线出版日期：2015-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：41-42,46