我国1Gb独立式NOR闪存芯片研究取得突破

摘要：

日前,中科院微电子所联合清华大学、北京大学在1Gb独立式NOR型闪存芯片研究上取得突破.
移动通信等信息技术的迅猛发展加剧了对海量信息高速存取的需求.然而,大容量高速闪存芯片设计技术一直是我国存储芯片设计面临的主要技术瓶颈,我国存储企业依赖国外技术授权进行小容量嵌入式闪存产品设计的格局未发生改变.为此,在国家科技重大专项02专项的支持下,中科院微电子所纳米加工与新器件集成技术研究室(三室)携手清华大学、北京大学相关研究部门在国内率先开展了1Gb独立式NOR型闪存芯片设计关键技术研发工作.

机标关键词：闪存芯片、独立式

分类号：TP333;TN407;TP2

在线出版日期：2015-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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