第三代半导体材料双雄并立,难分高下

摘要：

进入21世纪以来,随着摩尔定律的失效大限日益临近,寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫.在多位选手轮番登场后,有两位脱颖而出,它们就是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)——并称为第三代半导体材料的双雄.
SiC早在1842年就被发现了,但直到1955年,才有生产高品质碳化硅的方法出现;到了1987年,商业化生产的SiC进入市场;进入21世纪后,SiC的商业应用才算全面铺开.相对于Si,SiC的优点很多:有10倍的电场强度,高3倍的热导率,宽3倍禁带宽度,高一倍的饱和漂移速度.因为这些特点,用SiC制作的器件可以用于极端的环境条件下.

机标关键词：第三代半导体材料

分类号：TN304.2;O782;TN722.75

在线出版日期：2015-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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