利用屏蔽栅极功率MOSFET技术降低传导和开关损耗

摘要：

@@ 监管机构与终端客户对DC/DC电源效率的要求越来越高.新的设计要求更低的导通阻抗,同时不能影响非钳位电感性开关(UIS)能力或者不增加开关损耗.屏蔽栅极MOSFET可为30～200V范围的DC/DC电源设计人员提供相关解决方案.

机标关键词：功率mosfet、开关损耗、屏蔽栅

分类号：TN386.1;TM464;TN773

在线出版日期：2015-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：38-39