理解功率M0SFET的开关损耗

摘要：

@@ 本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET.

机标关键词：开关损耗、m0sfet

分类号：TM464;TN386;TM343

在线出版日期：2009-12-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：52-53,55