主动"ORing"方案降低了功率损耗和设备尺寸

摘要：

@@ 主动"ORing"方案包括一个功率MOSFET和一个集成电路控制器.MOSFET的导通电阻RDS(on)会在其内部产生功率损耗(通过器件的电流的平方与电阻的乘积).

机标关键词：功率损耗、oring、设备尺寸

分类号：TM912;TS184.3;TM46

在线出版日期：2009-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：34-35