负载开关的发展概况

摘要：

@@ 负载开关基本电路
功率MOSFET是一种具有良好开关特性的器件:导通时其导通电阻RDS(ON)很小;在关断时其漏电流IDSS很小.另外,它的耐压范围很宽,从几十V到几百V,漏极电源范围宽,从几A到几十A,所以非常适合作负载开关.

机标关键词：发展概况、负载开关

分类号：TN322.8;TP334.7;F426.83

在线出版日期：2008-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：85-88