碳纳米管性能测量实现新突破

摘要：

@@ 在硅芯片晶体管接近其物理性能极限的当今,碳纳米管被认为是未来替代硅芯片原料的最佳候选材料.但是,要将碳纳米晶体管应用于大型集成电路还有很长的路要走,其中,了解纳米管内电子密度的变化对制作更可靠的碳纳米晶体管是一个关键因素.近日,IBM的科学家宣布他们对碳纳米管内的电荷分布进行了测量,并发现其直径小于2nm.

机标关键词：碳纳米管、性能测量、新突破

分类号：TP393;TB383;O657.1

在线出版日期：2008-01-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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