新材料显著降低45nm制程的漏电量

摘要：

@@ 采用氧化硅制造晶体管栅介质已有40余年,随着氧化硅被加工得越来越薄,晶体管性能也稳步提高.然而,从90nm到65nm,再到45nm,氧化硅栅介质厚度的缩小也使栅介质的漏电量越来越高,导致了高能耗和不必要的发热.晶体管栅漏电与不断变薄的氧化硅栅介质有关,这一点已成为过去10年来摩尔定律面临的最大技术挑战之一.

在线出版日期：2007-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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