有望取代NOR闪存的新型存储技术:PRAM

摘要：

@@ IBM、Macronix(旺宏)和奇梦达的科研人员近日联合发布了他们共同的研究成果PRAM(相变内存),这种新型存储技术将有望取代已被广泛用于计算机和消费类电子产品的NOR闪存芯片.同时,三星电子也完成了其首款512MBPRAM原型的开发,该原型采用了垂直二极管和在DRAM制造中应用的三维晶体管结构,单元面积仅为0.0467μm2,相当于普通NOR闪存的一半.

机标关键词：存储技术、pram、新型存储

分类号：TP311;TN919.2;G250.76

在线出版日期：2007-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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