低VCEsat双极结晶体管和MOSFET的比较
@@ 便携式产品(如手机、数码照相机、数码摄像机、DVD播放器、MP3播放器和个人数字助理)的设计人员一直面临着压力,既要缩减材料成本,又不能影响产品的性能,这对设计人员而言是真正的挑战,因为他们既要增加产品新特性,又不能对电池使用寿命产生负面影响.
mosfet、vcesat、晶体管、结晶体
TN7(基本电子电路)
2005-12-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
55-56
mosfet、vcesat、晶体管、结晶体
TN7(基本电子电路)
2005-12-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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