在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较

摘要：

@@ 开关电源(Switch Mode Power Supply;SMPS)的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择,即开关管和整流器.虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题,但针对特定SMPS应用中的IGBT和MOSFET进行性能比较,确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用.本文将对一些参数进行探讨,如硬开关和软开关ZVS(零电压转换)拓扑中的开关损耗,并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗一导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述.此外,还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET或IGBT导通开关损耗的主要因素,讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响.

机标关键词：mosfet、igbt、smps

分类号：TN6(电子元件、组件)

在线出版日期：2005-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：40-43