超高速高精度模拟电路SOI上的5V互补SiGe BiCMOS技术

摘要：

@@ 技术概览
第三代完全电介质绝缘的互补SiGe BiCMOS工艺(BiCom3)是针对超高速高精度模拟集成电路而设计的.上述器件的工作电压为5V,可在广泛的温度范围内工作,其fT的范围为15～20GHz,fmax的值在40～50GHz的范围,最小化了集电极到基板的寄生现象.

机标关键词：bicmos技术、sige、模拟电路、超高速高精度

分类号：TN7(基本电子电路)

在线出版日期：2005-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：76-77