期刊专题

iCMOSTM--工业电子工程领域的重大突破

引用
@@ 当今最先进的集成电路(IC)制造工艺正在重新开拓工业市场.迄今为止,在电噪声环境中以高电压工作的数据转换器、放大器、开关、多路复用器和其他器件一直沿着减小制造工艺尺寸的发展路线不懈地努力.美国模拟器件公司(Analog Devices,Inc.,简称ADI)提出了iCMOSTM--工业CMOS制造工艺,这种创新的制造工艺技术使客户可以在采用亚微米尺寸工艺的器件上施加高达30V电压,如果选用沟道扩展,可将工作电压提高到50V.

工程领域、电子工程、重大突破、icmostm--

TP336;C962;P619.14

2005-04-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共2页

77-78

暂无封面信息
查看本期封面目录

今日电子

1004-9606

11-3227/TN

2005,(1)

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn