ADI推出iCMOS模拟IC顿起波澜

摘要：

@@ 美国模拟器件公司发布了一种创新的半导体制造工艺,它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合,并将该工艺命名为iCMOS(工业CMOS).iCMOS使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面均得到极大提升.与采用传统CMOS制造工艺不同,采用iCMOS制造工艺的模拟IC能承受高达30V电源电压,同时能提供突破的性能水平,降低系统设计成本,而且降低85%的功耗和减小30%的封装尺寸.

机标关键词：icmos

分类号：TP3

在线出版日期：2005-03-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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