90nm CMOS用多晶SiGe栅极技术

摘要：

@@ 在最先进的器件里,为了提高晶体管性能,在工艺上几乎是年年都在消减栅极绝缘层厚度.另一方面,作为晶体管的栅极,在过去的30多年里都是一直在使用多晶硅材料,但是随着栅极绝缘层薄膜化,由多晶硅栅极电极内的载流子耗尽化所造成的性能低下问题也日益严重起来.为了简单表示栅极电极的载流子耗尽化的情况,请参阅图1所示模型.当晶体管处在导通状态时,在栅极里可以形成耗尽层.

机标关键词：cmos、多晶sige

分类号：TN304.055;TN432;TN722.3

在线出版日期：2005-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：83-84