碳纳米管提升了功率半导体器件的性能
@@ Infineon Technologies AG公司(位于德国慕尼黑)的研究人员已制作成功首款采用碳纳米管的功率半导体器件,在此之前人们一直认为这种器件不适合于功率应用中所使用的高电压和高电流.采用常规化学汽相淀积工艺生产的这种纳米管过去曾被用来试制功率晶体管.
功率半导体器件、器件的性能、碳纳米管
TN303;TB383;O641.4
2004-07-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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功率半导体器件、器件的性能、碳纳米管
TN303;TB383;O641.4
2004-07-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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