10.15923/j.cnki.cn22-1382/t.2019.1.01
ZnO形貌对紫外光电探测器性能的影响
ZnO作为一种新型的宽禁带半导体,在紫外光电探测领域有着重要应用价值.基于ZnO的紫外光电探测器的器件性能在很大程度上取决于ZnO的形貌调控.通过水热合成方法制备了三种形貌的纳米ZnO结构:ZnO纳米线、ZnO纳米棒、ZnO纳米颗粒,并基于三种形貌结构分别制备了紫外光探测器件,分析并探讨了影响紫外光电探测器性能的关键因素,旨在得到光响应率、响应时间、开关比最佳的ZnO形貌.结果表明,ZnO纳米线为基础的器件性能优于其他两种ZnO结构.
ZnO、水热合成、紫外光探测、光响应率
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TN23(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金面上项目61574021
2020-01-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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