10.3969/j.issn.1674-1374.2013.06.010
紫外全息凹面光栅离子束刻蚀技术
通过对引出的平行离子束流外加可控磁场,可以实现离子束流偏转。该方法实现IV型凹面光栅沿曲面不同闪耀角离子束刻蚀,能够获得高衍射效率的IV 型凹面光栅。经过理论设计计算出理想的IV型凹面光栅闪耀角,利用全息曝光-弯转离子束刻蚀工艺制作出尺寸45 mm ×40 mm ,波长250 nm处衍射效率达67%,入臂200 mm ,出臂188 mm ,曲率半径224 mm的IV型凹面光栅。同时,利用平行离子束流制作了相同参数的IV 型凹面光栅,其250 nm处的衍射效率为30%。实验结果表明,利用弯转离子束流制作IV型凹面光栅的方法简单易行,并能够精确控制离子束流实现高衍射效率的IV型凹面光栅制作。
束流控制、衍射效率、离子束刻蚀、凹面光栅
TP394.1;TH691.9(计算技术、计算机技术)
“863”重大项目2010AA1221091001;国家重大科研装备开发专项2011YQ120023;国家重大科研装备研制项目ZBYZ2008-1;中国科学院重大科研装备研制项目YZ201005;吉林省科技发展计划项目20070523;20086013
2014-03-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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