10.3969/j.issn.1674-1374-B.2007.03.016
快速烧结TiB2陶瓷
采用放电等离子烧结技术制备TiB2陶瓷,研究了烧结温度对TiB2陶瓷烧结致密化的影响.在1 700℃,保温仅5 min,加压30 MPa,即可获得相对密度达99%以上的致密TiB2烧结体.扫描电镜分析表明:烧结体晶粒细小,组织均匀;晶粒随烧结温度的提高而缓慢长大.1 700℃时,块体的显微硬度值达到32 GPa.
TiB2、放电等离子烧结
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TG135.5(金属学与热处理)
国家自然科学基金50310351
2007-11-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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