期刊专题

10.3969/j.issn.1674-1374-B.2007.03.016

快速烧结TiB2陶瓷

引用
采用放电等离子烧结技术制备TiB2陶瓷,研究了烧结温度对TiB2陶瓷烧结致密化的影响.在1 700℃,保温仅5 min,加压30 MPa,即可获得相对密度达99%以上的致密TiB2烧结体.扫描电镜分析表明:烧结体晶粒细小,组织均匀;晶粒随烧结温度的提高而缓慢长大.1 700℃时,块体的显微硬度值达到32 GPa.

TiB2、放电等离子烧结

28

TG135.5(金属学与热处理)

国家自然科学基金50310351

2007-11-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

305-307

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长春工业大学学报(自然科学版)

1006-2939

22-1238/T

28

2007,28(3)

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