In2O3纳米线阵列的合成及表征

摘要：

采用SBA-15硬模板复制技术合成纳米In2O3样品,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光谱对样品的晶体结构、晶粒尺寸、形貌及带隙宽度进行测试,分析样品的纳米结构对气敏性能的影响机制.结果表明:样品为纳米线阵列结构,三维In2 O3纳米线阵列结构由粒径约为15 nm的单晶近球形In2O3颗粒规则有序排列组成,间距约为1 nm,带隙宽度为3.63 eV;当温度为320℃,乙醇气体在空气中的体积比为10-4时,其灵敏度达42.3.该纳米结构样品明显优于相同级别纳米颗粒和纳米介孔材料的气敏性能.

关键词：纳米线阵列、纳米结构有序度、介孔结构、气敏性能

所属期刊栏目：57

分类号：TB383(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金51172220

在线出版日期：2019-06-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：673-678