质子对碲锌镉辐照损伤的SRIM模拟

摘要：

模拟计算质子对CdZnTe的辐照损伤.先计算质子在CdZnTe中的电离损伤和位移损伤,再计算不同能量和入射角的质子辐照CdZnTe产生的空位数,最后计算不同能量和入射角的质子辐照不同厚度CdZnTe靶的溅射产额.结果表明:电离损伤远大于位移损伤;CdZnTe内因质子辐照产生的空位数随质子能量的增大而增加,当质子入射角大于60°时,产生的空位数明显减少;CdZnTe低于半导体硅和金刚石的抗辐照性能;溅射产额与空位数相差较大,溅射产额随质子能量的增大先增大后减小,随质子入射角的增大而增大,随CdZnTe靶厚度的增大整体趋于增大.

关键词：MonteCarlo模拟、质子、溅射产额、辐照损伤

所属期刊栏目：56

分类号：O571(原子核物理学、高能物理学)

资助基金：中国科学院战略性先导科技专项基金XDA14020102

在线出版日期：2018-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：973-978