半导体纳米材料 CdSe/ZnS 在显示器件中的应用

摘要：

以半导体纳米材料 CdSe/ZnS 作为发光层,ZnO 作为电子传输层,用 Al 和氧化铟锡(ITO)分别作为两极材料,采用旋涂和真空蒸镀膜技术制备半导体发光二极管,并对其光学性质进行表征。结果表明：该器件发射黄光,峰位为575 nm,半峰宽30 nm,最大发光强度2000 cd/m2；在较高的电流密度下,该器件的电致发光效率无明显衰减；当半导体纳米材料CdSe/ZnS 及 ZnO 分别作为发光层和电子传输层时,可制备具有高电流密度且稳定的发光二极管主体材料。

关键词：半导体纳米材料、电致发光、发光二极管、显示器件

所属期刊栏目：54

分类号：TN383.1(半导体技术)

资助基金：吉林省自然科学基金JC20130101132;吉林省教育厅“十二五”科学技术研究项目2013-317;吉林市科技局科技项目201464057

在线出版日期：2016-07-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：631-634