NO 在 Ir（110）表面吸附和解离反应的泛函密度理论

摘要：

采用密度泛函理论(DFT)和周期性平板模型,考察 NO 在 Ir(110)表面上的吸附、解离及 N2生成机理。计算结果表明：NO 以 N 端向下在顶位吸附为最稳定的吸附方式,其次是短桥位,空位吸附最不稳定；顶位吸附的 NO 在表面存在2条解离通道：1)直接解离通道；2)由初始态扩散到短桥位,继而发生 N—O 键断裂生成 N 原子和 O 原子,是 NO 在表面解离的主要通道；解离后的 N 原子经联短桥位共吸附态发生 N—N 聚合反应生成 N2,在表面共存的 O 原子促进了 N2的生成,与实验结果相符。

关键词：密度泛函理论、NO 解离、N2 生成、Ir(1 10)表面、过渡态

分类号：O521.2(高压与高温物理学)

资助基金：国家自然科学基金U1404216,U1404608,U1304612,11247222;河南省科技厅科技攻关项目142102210478,132102210481;河南省中青年骨干教师资助项目2012GGJS-152;南阳师范学院科研项目ZX2014088,ZX2012018,ZX20100011

在线出版日期：2014-12-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1301-1305